Número de Producto del Fabricante:
IXFK38N80Q2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFK38N80Q2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 38A TO264AA
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 38A (Tc) 735W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventario:
12820303
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IXFK38N80Q2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™, Q2 Class
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
38A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
220mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8340 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
735W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-264AA (IXFK)
Paquete / Caja
TO-264-3, TO-264AA
Número de producto base
IXFK38
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
APT38F80B2
FABRICANTE
Microchip Technology
CANTIDAD DISPONIBLE
37
NÚMERO DE PIEZA
APT38F80B2-DG
PRECIO UNITARIO
13.93
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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