Número de Producto del Fabricante:
IXFM35N30
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFM35N30-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 300V 35A TO204AE
Descripción Detallada:
N-Channel 300 V 35A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
Inventario:
12819948
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ENVIAR
IXFM35N30 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
300 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-204AE
Paquete / Caja
TO-204AE
Número de producto base
IXFM35
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
20
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDA38N30
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
17406
NÚMERO DE PIEZA
FDA38N30-DG
PRECIO UNITARIO
1.33
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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