Número de Producto del Fabricante:
IXFN120N65X2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFN120N65X2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 108A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventario:
93 Pcs Nuevos Originales En Stock
12820518
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFN120N65X2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
108A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
24mOhm @ 54A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-227B
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base
IXFN120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
10
Otros nombres
632519
IXFN120N65X2X-DG
IXFN120N65X2X
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXTT8P50
MOSFET P-CH 500V 8A TO268
IXTA44P15T-TRL
MOSFET P-CH 150V 44A TO263
IXFK64N60Q3
MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
