Número de Producto del Fabricante:
IXFN50N120SK
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFN50N120SK-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 48A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventario:
6 Pcs Nuevos Originales En Stock
12910392
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ENVIAR
IXFN50N120SK Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
48A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
52mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 10mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
115 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1895 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-227B
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base
IXFN50
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
10
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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