IXFN70N120SK

Número de Producto del Fabricante:

IXFN70N120SK

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXFN70N120SK-DG

Descripción:

SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B

Descripción Detallada:

N-Channel 1200 V 68A (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventario:

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12820846

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IXFN70N120SK Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

Tube

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

1200 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

68A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

20V

rds activados (máx.) @ id, vgs

34mOhm @ 50A, 20V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 15mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

161 nC @ 20 V

Vgs (máx.)

+20V, -5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2790 pF @ 1000 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

-

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

SOT-227B

Paquete / Caja

SOT-227-4, miniBLOC

Número de producto base

IXFN70

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

IXFN70N120SK-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

10

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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