Número de Producto del Fabricante:
IXFP4N85XM
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFP4N85XM-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 850 V 3.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12819540
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFP4N85XM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
850 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
247 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IXFP4N85
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK7A90E,S4X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
95
NÚMERO DE PIEZA
TK7A90E,S4X-DG
PRECIO UNITARIO
0.63
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFN70N100X
MOSFET N-CH 1000V 56A SOT227B
IXTH10N100D
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
IXFX360N15T2
MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247-3
