Número de Producto del Fabricante:
IXFP8N50P3
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFP8N50P3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12909856
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFP8N50P3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™, Polar3™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
800mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 1.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
705 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IXFP8N50
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFP12N50P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
300
NÚMERO DE PIEZA
IXFP12N50P-DG
PRECIO UNITARIO
1.71
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFSL9N60A
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3
IXFA24N60X
MOSFET N-CH 600V 24A TO263AA
IRF530STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
