IXFQ60N60X

Número de Producto del Fabricante:

IXFQ60N60X

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXFQ60N60X-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 60A TO3P

Descripción Detallada:

N-Channel 600 V 60A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventario:

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12821129

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IXFQ60N60X Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

-

Serie

HiPerFET™, Ultra X

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

600 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

60A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

55mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4.5V @ 8mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

143 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

5800 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

890W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-3P

Paquete / Caja

TO-3P-3, SC-65-3

Número de producto base

IXFQ60

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

30

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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