Número de Producto del Fabricante:
IXFR180N10
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFR180N10-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 165A (Tc) 400W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventario:
12819470
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ENVIAR
IXFR180N10 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
165A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
400 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
400W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ISOPLUS247™
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXFR180
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
IXFR180N10-NDR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
HUF75652G3
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
450
NÚMERO DE PIEZA
HUF75652G3-DG
PRECIO UNITARIO
5.03
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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