Número de Producto del Fabricante:
IXFT58N20Q
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFT58N20Q-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 58A TO268
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 58A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventario:
12821195
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ENVIAR
IXFT58N20Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
40mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-268AA
Paquete / Caja
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número de producto base
IXFT58
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
IXFT58N20Q-NDR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTT82N25P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTT82N25P-DG
PRECIO UNITARIO
5.71
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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