IXFT80N65X2HV-TRL
Número de Producto del Fabricante:

IXFT80N65X2HV-TRL

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXFT80N65X2HV-TRL-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)

Inventario:

13270865
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IXFT80N65X2HV-TRL Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
38mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-268HV (IXFT)
Paquete / Caja
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número de producto base
IXFT80

Información Adicional

Paquete Estándar
400
Otros nombres
238-IXFT80N65X2HV-TRLTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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