Número de Producto del Fabricante:
IXFV12N120P
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFV12N120P-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 543W (Tc) Through Hole PLUS220
Inventario:
12821009
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ENVIAR
IXFV12N120P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.35Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
6.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5400 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
543W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PLUS220
Paquete / Caja
TO-220-3, Short Tab
Número de producto base
IXFV12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
APT13F120B
FABRICANTE
Microchip Technology
CANTIDAD DISPONIBLE
30
NÚMERO DE PIEZA
APT13F120B-DG
PRECIO UNITARIO
7.92
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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