Número de Producto del Fabricante:
IXFX170N20T
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFX170N20T-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 170A (Tc) 1150W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventario:
12914117
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ENVIAR
IXFX170N20T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Trench
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
170A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
265 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
19600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PLUS247™-3
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Número de producto base
IXFX170
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFP4668PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
8420
NÚMERO DE PIEZA
IRFP4668PBF-DG
PRECIO UNITARIO
4.38
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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