IXT-1-1N100S1

Número de Producto del Fabricante:

IXT-1-1N100S1

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXT-1-1N100S1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Descripción Detallada:

N-Channel 1000 V 1.5A (Tc)

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12821076

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IXT-1-1N100S1 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

1000 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

1.5A (Tc)

rds activados (máx.) @ id, vgs

-

vgs(th) (máx.) @ id

-

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

-

Temperatura de funcionamiento

-

Tipo de montaje

-

Paquete de dispositivos del proveedor

-

Paquete / Caja

-

Número de producto base

IXT-1

Información Adicional

Paquete Estándar

94

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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