IXTA3N120

Número de Producto del Fabricante:

IXTA3N120

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXTA3N120-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 1200V 3A TO263

Descripción Detallada:

N-Channel 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263AA

Inventario:

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12819586

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IXTA3N120 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

Tube

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

1200 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

3A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

4.5Ohm @ 1.5A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

42 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1350 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

200W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-263AA

Paquete / Caja

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Número de producto base

IXTA3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

50

Otros nombres

Q2023873

IXTA3N120-NDR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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