IXTA76P10T-TRL
Número de Producto del Fabricante:

IXTA76P10T-TRL

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXTA76P10T-TRL-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 76A (Tc) 298W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

3010 Pcs Nuevos Originales En Stock
13140545
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IXTA76P10T-TRL Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchP™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
76A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
197 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13700 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
298W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IXTA76

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
800
Otros nombres
238-IXTA76P10T-TRLCT
238-IXTA76P10T-TRLDKR
238-IXTA76P10T-TRLTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SIHA11N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 8A TO220

vishay

SIHA6N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 5A TO220

vishay-siliconix

SISS32LDN-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK

vishay-siliconix

SIHG105N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC