IXTF1R4N450

Número de Producto del Fabricante:

IXTF1R4N450

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXTF1R4N450-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC

Descripción Detallada:

N-Channel 4500 V 1.4A (Tc) 190W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

Inventario:

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12821310

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IXTF1R4N450 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

Tube

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

4500 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

1.4A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

40Ohm @ 50mA, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

6V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

88 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

3300 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

190W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

ISOPLUS i4-PAC™

Paquete / Caja

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Número de producto base

IXTF1

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

25

Otros nombres

-IXTF1R4N450

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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