Número de Producto del Fabricante:
IXTF6N200P3
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTF6N200P3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC
Descripción Detallada:
N-Channel 2000 V 4A (Tc) 215W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Inventario:
12821834
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ENVIAR
IXTF6N200P3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Polar P3™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
2000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.2Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3700 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
215W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ISOPLUS i4-PAC™
Paquete / Caja
ISOPLUSi5-PAK™
Número de producto base
IXTF6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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