IXTH10P60

Número de Producto del Fabricante:

IXTH10P60

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXTH10P60-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 600V 10A TO247

Descripción Detallada:

P-Channel 600 V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12821566

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

IXTH10P60 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

Tube

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

600 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

10A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

1Ohm @ 5A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

160 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

4700 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

300W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-247 (IXTH)

Paquete / Caja

TO-247-3

Número de producto base

IXTH10

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

30

Otros nombres

IXTH10P60-NDR

Q1152201

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

Not Applicable

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

littelfuse

IXFH30N85X

MOSFET N-CH 850V 30A TO247AD

littelfuse

IXFA230N075T2-7

MOSFET N-CH 75V 230A TO263-7

littelfuse

IXTH60N30T

MOSFET N-CH 300V 60A TO247

littelfuse

IXTT26N60P

MOSFET N-CH 600V 26A TO268