Número de Producto del Fabricante:
IXTH120N20X4
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTH120N20X4-DG
Descripción:
MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 120A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventario:
300 Pcs Nuevos Originales En Stock
12985349
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ENVIAR
IXTH120N20X4 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6100 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
417W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXTH120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
238-IXTH120N20X4
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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