Número de Producto del Fabricante:
IXTH130N20T
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTH130N20T-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 130A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 130A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventario:
17 Pcs Nuevos Originales En Stock
12818926
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXTH130N20T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Trench
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
130A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
830W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXTH130
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFP130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
MKE38RK600DFEL-TRR
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
IXFK100N10
MOSFET N-CH 100V 100A TO264AA
