Número de Producto del Fabricante:
IXTK82N25P
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTK82N25P-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 82A TO264
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 82A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Inventario:
113 Pcs Nuevos Originales En Stock
12819456
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXTK82N25P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Polar
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
82A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
35mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
142 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-264 (IXTK)
Paquete / Caja
TO-264-3, TO-264AA
Número de producto base
IXTK82
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFH26N60Q
MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD
IXFA6N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
IXFT94N30P3
MOSFET N-CH 300V 94A TO268
