Número de Producto del Fabricante:
IXTM11N80
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTM11N80-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 11A TO204AA
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AA (IXTM)
Inventario:
12914790
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ENVIAR
IXTM11N80 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
GigaMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
950mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-204AA (IXTM)
Paquete / Caja
TO-204AA, TO-3
Número de producto base
IXTM11
Información Adicional
Paquete Estándar
20
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCPF400N80Z
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
1271
NÚMERO DE PIEZA
FCPF400N80Z-DG
PRECIO UNITARIO
1.64
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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