Número de Producto del Fabricante:
IXTM12N100
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTM12N100-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO204AA
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 12A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AA (IXTM)
Inventario:
12819937
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ENVIAR
IXTM12N100 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
GigaMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.05Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-204AA (IXTM)
Paquete / Caja
TO-204AA, TO-3
Número de producto base
IXTM12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
20
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STW13NK100Z
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STW13NK100Z-DG
PRECIO UNITARIO
6.20
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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