IXTQ42N25P
Número de Producto del Fabricante:

IXTQ42N25P

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXTQ42N25P-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 250V 42A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 42A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventario:

11 Pcs Nuevos Originales En Stock
12819660
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IXTQ42N25P Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Polar
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
42A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
84mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
IXTQ42

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
30

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FDA33N25
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
619
NÚMERO DE PIEZA
FDA33N25-DG
PRECIO UNITARIO
1.54
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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