IXTU01N100D

Número de Producto del Fabricante:

IXTU01N100D

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXTU01N100D-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 1000V 400MA TO251

Descripción Detallada:

N-Channel 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA

Inventario:

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IXTU01N100D Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

-

Serie

Depletion

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

1000 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

400mA (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

0V

rds activados (máx.) @ id, vgs

80Ohm @ 50mA, 0V

vgs(th) (máx.) @ id

4.5V @ 25µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

5.8 nC @ 5 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

100 pF @ 25 V

Función FET

Depletion Mode

Disipación de potencia (máx.)

1.1W (Ta), 25W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-251AA

Paquete / Caja

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Número de producto base

IXTU01

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

70

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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