Número de Producto del Fabricante:
IXTU02N50D
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTU02N50D-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 200MA TO251
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventario:
453 Pcs Nuevos Originales En Stock
12819252
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ENVIAR
IXTU02N50D Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Depletion
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
30Ohm @ 50mA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 25µA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
120 pF @ 25 V
Función FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251AA
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IXTU02
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
70
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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