Número de Producto del Fabricante:
IXTX102N65X2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTX102N65X2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 102A PLUS247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 102A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventario:
12820351
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXTX102N65X2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Ultra X2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
102A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
30mOhm @ 51A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10900 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1040W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PLUS247™-3
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Número de producto base
IXTX102
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SCT3022ALGC11
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
1695
NÚMERO DE PIEZA
SCT3022ALGC11-DG
PRECIO UNITARIO
36.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFA72N20X3
MOSFET N-CH 200V 72A TO263AA
IXTX8N150L
MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247-3
IXFX94N50P2
MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247-3
