IXTY08N50D2
Número de Producto del Fabricante:

IXTY08N50D2

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXTY08N50D2-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

4655 Pcs Nuevos Originales En Stock
12819778
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IXTY08N50D2 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Depletion
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
800mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.6Ohm @ 400mA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12.7 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
312 pF @ 25 V
Función FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IXTY08

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
70
Otros nombres
Q14817718
238-IXTY08N50D2-CRL

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
littelfuse

IXFH26N50

MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD

littelfuse

IXTP26P10T

MOSFET P-CH 100V 26A TO220AB

littelfuse

IXTU08N100P

MOSFET N-CH 1000V 8A TO251

littelfuse

IXFR21N100Q

MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247