Número de Producto del Fabricante:
MCB60I1200TZ
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
MCB60I1200TZ-DG
Descripción:
1200V 90A SIC POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 90A (Tc) Surface Mount TO-268AA (D3Pak-HV)
Inventario:
12915364
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ENVIAR
MCB60I1200TZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
34mOhm @ 50A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 15mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
160 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2790 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-268AA (D3Pak-HV)
Paquete / Caja
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número de producto base
MCB60I1200
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
Q10970246
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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