Número de Producto del Fabricante:
MMIX1F180N25T
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
MMIX1F180N25T-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 132A (Tc) 570W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Inventario:
20 Pcs Nuevos Originales En Stock
12822065
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ENVIAR
MMIX1F180N25T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
132A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
364 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
23800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
570W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
24-SMPD
Paquete / Caja
24-PowerSMD, 21 Leads
Número de producto base
MMIX1F180
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
20
Otros nombres
-MMIX1F180N25T
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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