Número de Producto del Fabricante:
VMO580-02F
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
VMO580-02F-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 580A (Tc) Chassis Mount Y3-Li
Inventario:
12819382
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ENVIAR
VMO580-02F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
580A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 430A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 50mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2750 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Y3-Li
Paquete / Caja
Y3-Li
Número de producto base
VMO580
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2
Otros nombres
VMO580-02F-NDR
Q1221985A
VMO58002F
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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