Número de Producto del Fabricante:
SICW080N120Y4-BP
Product Overview
Fabricante:
Micro Commercial Co
Número de pieza:
SICW080N120Y4-BP-DG
Descripción:
N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 39A 223W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
338 Pcs Nuevos Originales En Stock
12999454
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ENVIAR
SICW080N120Y4-BP Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Micro Commercial Components (MCC)
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
39A
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
85mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
3.6V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
890 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
223W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Número de producto base
SICW080
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
360
Otros nombres
353-SICW080N120Y4-BP
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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