Número de Producto del Fabricante:

APT1001RBN

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

Número de pieza:

APT1001RBN-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD

Descripción Detallada:

N-Channel 1000 V 11A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD

Inventario:

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13257203

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APT1001RBN Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Microchip Technology

Embalaje

-

Serie

POWER MOS IV®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

1000 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

11A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

1Ohm @ 5.5A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 1mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

130 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2950 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

310W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-247AD

Paquete / Caja

TO-247-3

Información Adicional

Paquete Estándar

30

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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