APT1001RBN
Número de Producto del Fabricante:

APT1001RBN

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

Número de pieza:

APT1001RBN-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 11A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD

Inventario:

13257203
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APT1001RBN Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
-
Serie
POWER MOS IV®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1Ohm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2950 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
310W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AD
Paquete / Caja
TO-247-3

Información Adicional

Paquete Estándar
30

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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