APT10M11LVRG
Número de Producto del Fabricante:

APT10M11LVRG

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

Número de pieza:

APT10M11LVRG-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 100A TO264
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-264 (L)

Inventario:

28 Pcs Nuevos Originales En Stock
12976131
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

APT10M11LVRG Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tube
Serie
POWER MOS V®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 2.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
450 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-264 (L)
Paquete / Caja
TO-264-3, TO-264AA
Número de producto base
APT10M11

Información Adicional

Paquete Estándar
20
Otros nombres
150-APT10M11LVRG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
stmicroelectronics

TD134N4F7AG

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

harris-corporation

RF1S23N06LE

23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,

rohm-semi

R6024VNXC7G

600V 13A TO-220FM, PRESTOMOS WIT

rohm-semi

R6024VNX3C16

600V 24A TO-220AB, PRESTOMOS WIT