APT58M80J
Número de Producto del Fabricante:

APT58M80J

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

Número de pieza:

APT58M80J-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 60A SOT227
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 60A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227

Inventario:

2 Pcs Nuevos Originales En Stock
13248223
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APT58M80J Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
570 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
17550 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
960W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-227
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base
APT58M80

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
APT58M80J High-Voltage Power Discretes and Modules

Información Adicional

Paquete Estándar
10
Otros nombres
APT58M80JMI-ND
APT58M80JMI

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IXFN62N80Q3
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
8
NÚMERO DE PIEZA
IXFN62N80Q3-DG
PRECIO UNITARIO
44.05
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXFN48N60P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
20
NÚMERO DE PIEZA
IXFN48N60P-DG
PRECIO UNITARIO
18.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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cr
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