Número de Producto del Fabricante:
APT9M100S/TR
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
APT9M100S/TR-DG
Descripción:
MOSFET MOS8 1000 V 9 A TO-268
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 335W (Tc) Surface Mount D3PAK
Inventario:
329 Pcs Nuevos Originales En Stock
12978682
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ENVIAR
APT9M100S/TR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
POWER MOS 8™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2605 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
335W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D3Pak
Paquete / Caja
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número de producto base
APT9M100
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
400
Otros nombres
150-APT9M100S/TRCT
150-APT9M100S/TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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