Número de Producto del Fabricante:
LND01K1-G
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
LND01K1-G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Descripción Detallada:
N-Channel 9 V 330mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-5
Inventario:
3471 Pcs Nuevos Originales En Stock
12794311
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ENVIAR
LND01K1-G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
9 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
330mA (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
0V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 100mA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Vgs (máx.)
+0.6V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
46 pF @ 5 V
Función FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.)
360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-25°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-5
Paquete / Caja
SC-74A, SOT-753
Número de producto base
LND01
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Ensamblaje/Origen de PCN
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
LND01K1-GDKR
LND01K1-GTR
LND01K1-GCT
LND01K1-G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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