Número de Producto del Fabricante:
LND150N3-G-P003
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
LND150N3-G-P003-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventario:
3877 Pcs Nuevos Originales En Stock
12797216
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ENVIAR
LND150N3-G-P003 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Cut Tape (CT)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30mA (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
0V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1000Ohm @ 500µA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10 pF @ 25 V
Función FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.)
740mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base
LND150
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Ensamblaje/Origen de PCN
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
LND150N3-G-P003CT
LND150N3-G-P003-DG
LND150N3-G-P003TR
LND150N3-G-P003DKR-DG
LND150N3-G-P003DKRINACTIVE
LND150N3-G-P003DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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