Número de Producto del Fabricante:
MSCSM120HRM163AG
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
MSCSM120HRM163AG-DG
Descripción:
SIC 4N-CH 1200V/700V 173A
Descripción Detallada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV), 700V 173A (Tc), 124A (Tc) 745W (Tc), 365W (Tc) Chassis Mount
Inventario:
12960684
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ENVIAR
MSCSM120HRM163AG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Función FET
Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV), 700V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
173A (Tc), 124A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
16mOhm @ 80A, 20V, 19mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 6mA, 2.4V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
464nC, 215nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6040pF @ 1000V, 4500pF @ 700V
Potencia - Máx.
745W (Tc), 365W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
-
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
150-MSCSM120HRM163AG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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