TN0110N3-G

Número de Producto del Fabricante:

TN0110N3-G

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

Número de pieza:

TN0110N3-G-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3

Descripción Detallada:

N-Channel 100 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventario:

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12810007

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TN0110N3-G Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Microchip Technology

Embalaje

Bag

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

350mA (Tj)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2V @ 500µA

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

60 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

1W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-92-3

Paquete / Caja

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Número de producto base

TN0110

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

1,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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