Número de Producto del Fabricante:
TP5335MF-G-VAO
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
TP5335MF-G-VAO-DG
Descripción:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO
Descripción Detallada:
P-Channel 350 V 85mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventario:
13004384
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ENVIAR
TP5335MF-G-VAO Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
350 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
85mA (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
30Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
110 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q100
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-DFN (2x2)
Paquete / Caja
6-VDFN Exposed Pad
Número de producto base
TP5335
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
150-TP5335MF-G-VAOTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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