Número de Producto del Fabricante:
VP2110K1-G
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
VP2110K1-G-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 120mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Inventario:
12199 Pcs Nuevos Originales En Stock
12818423
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ENVIAR
VP2110K1-G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120mA (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-236AB (SOT23)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
VP2110
Hoja de Datos y Documentos
Diseño/Especificación de PCN
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
VP2110K1-G-DG
VP2110K1-GCT
VP2110K1-GTR
VP2110K1-GDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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