2N5011
Número de Producto del Fabricante:

2N5011

Product Overview

Fabricante:

Microsemi Corporation

Número de pieza:

2N5011-DG

Descripción:

NPN SILICON TRANSISTOR
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 600 V 200 mA 1 W Through Hole TO-5AA

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea
13251752
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2N5011 Especificaciones Técnicas

Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Microsemi
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
200 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
600 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
1.5V @ 5mA, 25mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
10nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 25mA, 10V
Potencia - Máx.
1 W
Frecuencia - Transición
-
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-5AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
2N5010(S) - 2N5015(S)

Información Adicional

Paquete Estándar
1
Otros nombres
150-2N5011
2N5011-ND

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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