APT17N80BC3G
Número de Producto del Fabricante:

APT17N80BC3G

Product Overview

Fabricante:

Microsemi Corporation

Número de pieza:

APT17N80BC3G-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventario:

13247758
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

APT17N80BC3G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
290mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2250 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
150-APT17N80BC3G
APT17N80BC3G-ND

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
microchip-technology

APT5010LVRG

MOSFET N-CH 500V 47A TO264

microchip-technology

APT8011JFLL

MOSFET N-CH 800V 51A ISOTOP

microchip-technology

APT30M36LLLG

MOSFET N-CH 300V 84A TO264

microchip-technology

APT34F100B2

MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX