Número de Producto del Fabricante:

APT80SM120B

Product Overview

Fabricante:

Microsemi Corporation

Número de pieza:

APT80SM120B-DG

Descripción:

SICFET N-CH 1200V 80A TO247

Descripción Detallada:

N-Channel 1200 V 80A (Tc) 555W (Tc) Through Hole TO-247

Inventario:

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13261717

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APT80SM120B Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Microsemi

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

1200 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

80A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

20V

rds activados (máx.) @ id, vgs

55mOhm @ 40A, 20V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

235 nC @ 20 V

Vgs (máx.)

+25V, -10V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

555W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-247

Paquete / Caja

TO-247-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

APT80SM120(B,S)

Información Adicional

Paquete Estándar

1

Otros nombres

APT80SM120B-ND

150-APT80SM120B

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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