Número de Producto del Fabricante:
JAN2N7335
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
Número de pieza:
JAN2N7335-DG
Descripción:
MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Descripción Detallada:
Mosfet Array 100V 750mA 1.4W Through Hole
Inventario:
12930203
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ENVIAR
JAN2N7335 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Microsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
4 P-Channel
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
750mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potencia - Máx.
1.4W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Military
Calificación
MIL-PRF-19500/599
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Número de producto base
2N733
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
JAN2N7335-MIL
150-JAN2N7335
JAN2N7335-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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