JANTXV2N6796
Número de Producto del Fabricante:

JANTXV2N6796

Product Overview

Fabricante:

Microsemi Corporation

Número de pieza:

JANTXV2N6796-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)

Inventario:

12923411
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JANTXV2N6796 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalaje
-
Serie
Military, MIL-PRF-19500/557
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
195mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28.51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-205AF (TO-39)
Paquete / Caja
TO-205AF Metal Can

Información Adicional

Paquete Estándar
1
Otros nombres
JANTXV2N6796-DG
JANTXV2N6796-MIL
150-JANTXV2N6796

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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