Número de Producto del Fabricante:
GAN039-650NTBZ
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
GAN039-650NTBZ-DG
Descripción:
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 58.5A (Ta) 250W (Ta) Surface Mount CCPAK1212i
Inventario:
13259569
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ENVIAR
GAN039-650NTBZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
58.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
39mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.6V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1980 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
CCPAK1212i
Paquete / Caja
12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
1727-GAN039-650NTBZTR
1727-GAN039-650NTBZCT
1727-GAN039-650NTBZDKR
934662153139
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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