Número de Producto del Fabricante:
NXV55UNR
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
NXV55UNR-DG
Descripción:
NXV55UN/SOT23/TO-236AB
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 1.9A (Ta) 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventario:
29503 Pcs Nuevos Originales En Stock
12950091
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
NXV55UNR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
66mOhm @ 1.9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
352 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-236AB
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
1727-NXV55UNRCT
934661664215
5202-NXV55UNRTR
1727-NXV55UNRTR
1727-NXV55UNRDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TP65H070LSG-TR
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
IPP65R155CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
IPP65R110CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW